Polovodičové paměti MIKROPROCESOROVÁ TECHNIKAVOŠ pro praxireg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  RAM (Random Access Memory)paměti s libovolným přístupem  SAM (Seriál Access Memory)p...
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  paměť LIFO (Last In First Out) - typu zásobník = sklípková, první dovnitř, poslední ...
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  paměti RWM (Read Write Memory) - čtení i zápis za provozu, nevýhoda jsou „volatilní...
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  paměti PROM (Programable ROM) - jednou programovatelné (OTP)  paměti EPROM (...
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  Statické - p.b. tvořena bistabilním KO – data není potřeba obnovovat SRAM (Static RAM)...
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  Bipolární - TTL - rychlé, jediné napájení, vysoký logický zisk a vysoká ,rychlost (...
7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTIVOŠ pro praxi 8reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
of 8

Polovodičové paměti

Published on: Mar 4, 2016
Source: www.slideshare.net


Transcripts - Polovodičové paměti

  • 1. Polovodičové paměti MIKROPROCESOROVÁ TECHNIKAVOŠ pro praxireg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 2. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  RAM (Random Access Memory)paměti s libovolným přístupem  SAM (Seriál Access Memory)paměti se sériovým přístupem  paměti se speciálním přístupem k paměťové buňce:VOŠ pro praxi 2reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 3. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  paměť LIFO (Last In First Out) - typu zásobník = sklípková, první dovnitř, poslední ven  Paměť FIFO (First In First Out) typu fronta – první ven první dovnitřVOŠ pro praxi 3reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 4. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  paměti RWM (Read Write Memory) - čtení i zápis za provozu, nevýhoda jsou „volatilní“(volatile) = při vypnutí napájení se ztrácí data  paměti ROM (Read Only Memory) - pouze ke čtení,„nevolatilní“(unvolatile) = data při výpadku se neztrácí VOŠ pro praxi 4reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 5. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  paměti PROM (Programable ROM) - jednou programovatelné (OTP)  paměti EPROM (Errassable PROM)- mazatelné ultrafialovým zářením, programovatelná elektricky, má okénko  paměti EEPROM (Electrically EPROM) =EAPROM = E2PROM ,programovatelná a mazatelná elektrickým signálem (1000x)VOŠ pro praxi 5reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 6. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  Statické - p.b. tvořena bistabilním KO – data není potřeba obnovovat SRAM (Static RAM)  Dynamické - p.b. je tvořena parazitní kapacitou řídící elektrody tranzistoru MOSFET – data je potřeba pravidelně obnovovat speciálními obvody „refresh“ DRAM (Dynamic RAM)VOŠ pro praxi 6reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 7. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTI  Bipolární - TTL - rychlé, jediné napájení, vysoký logický zisk a vysoká ,rychlost (Schottkyho diody) , ECL - Emitor Coupled Logic - velmi rychlé  Unipolární - základ tranzistor řízený polem MOS s různými typy kanálů - vysoká hustota integraceVOŠ pro praxi 7reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044
  • 8. 7.1.2013 POLOVODIČOVÉ PAMĚTIVOŠ pro praxi 8reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

Related Documents