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Risultati Sperimentali Confronto tra i diversi campioniIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAna...
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Analisi delle Cross Section Profondità di swelling e caratterizzazione dei porigIntroduzioneGermani...
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Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del ...
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Conclusioni gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEM ...
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Nanoporous Ge

Produzione e Caratterizzazione di Germanio Nanoporoso
Published on: Mar 3, 2016
Source: www.slideshare.net


Transcripts - Nanoporous Ge

  • 1. IntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nanoporous GeCampioneImpiantazione Ionica Produzione e CaratterizzazioneSEMRBS di Germanio NanoporosoAnalisi delleimmagini SEMCross Ferro ValentinaAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in Si Caruso Giuseppe Lo Faro JosèProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Stornante Rosario Ventura LuigiConclusioni Università degli Studi di Catania Facoltà di Scienze MM. FF. e NN. - CdL in Fisica 19 Luglio 2012Nanoporous Ge 19-07-12 1/19
  • 2. OutlineIntroduzioneGermanio Poroso 1 IntroduzionePreparazione eAnalisi del Germanio PorosoCampioneImpiantazione IonicaSEM 2 Preparazione e Analisi del CampioneRBS Impiantazione IonicaAnalisi delleimmagini SEM SEMCrossAnalisi degli spettri RBSRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 3 Analisi delle immagini SEMcaratterizzazioneConclusioni Cross 4 Analisi degli spettri RBS Profilo di Ga in Si Profili di Ga in Ge e caratterizzazione 5 ConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 2/19
  • 3. OutlineIntroduzioneGermanio Poroso 1 IntroduzionePreparazione eAnalisi del Germanio PorosoCampioneImpiantazione IonicaSEM 2 Preparazione e Analisi del CampioneRBS Impiantazione IonicaAnalisi delleimmagini SEM SEMCrossAnalisi degli spettri RBSRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 3 Analisi delle immagini SEMcaratterizzazioneConclusioni Cross 4 Analisi degli spettri RBS Profilo di Ga in Si Profili di Ga in Ge e caratterizzazione 5 ConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 2/19
  • 4. OutlineIntroduzioneGermanio Poroso 1 IntroduzionePreparazione eAnalisi del Germanio PorosoCampioneImpiantazione IonicaSEM 2 Preparazione e Analisi del CampioneRBS Impiantazione IonicaAnalisi delleimmagini SEM SEMCrossAnalisi degli spettri RBSRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 3 Analisi delle immagini SEMcaratterizzazioneConclusioni Cross 4 Analisi degli spettri RBS Profilo di Ga in Si Profili di Ga in Ge e caratterizzazione 5 ConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 2/19
  • 5. OutlineIntroduzioneGermanio Poroso 1 IntroduzionePreparazione eAnalisi del Germanio PorosoCampioneImpiantazione IonicaSEM 2 Preparazione e Analisi del CampioneRBS Impiantazione IonicaAnalisi delleimmagini SEM SEMCrossAnalisi degli spettri RBSRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 3 Analisi delle immagini SEMcaratterizzazioneConclusioni Cross 4 Analisi degli spettri RBS Profilo di Ga in Si Profili di Ga in Ge e caratterizzazione 5 ConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 2/19
  • 6. OutlineIntroduzioneGermanio Poroso 1 IntroduzionePreparazione eAnalisi del Germanio PorosoCampioneImpiantazione IonicaSEM 2 Preparazione e Analisi del CampioneRBS Impiantazione IonicaAnalisi delleimmagini SEM SEMCrossAnalisi degli spettri RBSRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 3 Analisi delle immagini SEMcaratterizzazioneConclusioni Cross 4 Analisi degli spettri RBS Profilo di Ga in Si Profili di Ga in Ge e caratterizzazione 5 ConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 2/19
  • 7. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Fenomeno di swelling del Germanio indotto da impianta-Analisi delCampione zione ionica:Impiantazione IonicaSEM Primi studi negli anni ’80 [1,2]RBSAnalisi delle Osservazione di un layer amorfo e poroso, le cuiimmagini SEM caratteristiche dipendono daCrossAnalisi degli spettri Energia degli ioniRBS FluenzaProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e Temperatura del SubstratocaratterizzazioneConclusioni [1] Wilson, J. Appl. Phys, 53, 1698 (1982) [2] Wang and Birtcher, APL 55, 2494 (1989)Nanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 8. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Fenomeno di swelling del Germanio indotto da impianta-Analisi delCampione zione ionica:Impiantazione IonicaSEM Primi studi negli anni ’80 [1,2]RBSAnalisi delle Osservazione di un layer amorfo e poroso, le cuiimmagini SEM caratteristiche dipendono daCrossAnalisi degli spettri Energia degli ioniRBS FluenzaProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e Temperatura del SubstratocaratterizzazioneConclusioni [1] Wilson, J. Appl. Phys, 53, 1698 (1982) [2] Wang and Birtcher, APL 55, 2494 (1989)Nanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 9. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Fenomeno di swelling del Germanio indotto da impianta-Analisi delCampione zione ionica:Impiantazione IonicaSEM Primi studi negli anni ’80 [1,2]RBSAnalisi delle Osservazione di un layer amorfo e poroso, le cuiimmagini SEM caratteristiche dipendono daCrossAnalisi degli spettri Energia degli ioniRBS FluenzaProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e Temperatura del SubstratocaratterizzazioneConclusioni [1] Wilson, J. Appl. Phys, 53, 1698 (1982) [2] Wang and Birtcher, APL 55, 2494 (1989)Nanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 10. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Fenomeno di swelling del Germanio indotto da impianta-Analisi delCampione zione ionica:Impiantazione IonicaSEM Primi studi negli anni ’80 [1,2]RBSAnalisi delle Osservazione di un layer amorfo e poroso, le cuiimmagini SEM caratteristiche dipendono daCrossAnalisi degli spettri Energia degli ioniRBS FluenzaProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e Temperatura del SubstratocaratterizzazioneConclusioni [1] Wilson, J. Appl. Phys, 53, 1698 (1982) [2] Wang and Birtcher, APL 55, 2494 (1989)Nanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 11. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Fenomeno di swelling del Germanio indotto da impianta-Analisi delCampione zione ionica:Impiantazione IonicaSEM Primi studi negli anni ’80 [1,2]RBSAnalisi delle Osservazione di un layer amorfo e poroso, le cuiimmagini SEM caratteristiche dipendono daCrossAnalisi degli spettri Energia degli ioniRBS FluenzaProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e Temperatura del SubstratocaratterizzazioneConclusioni [1] Wilson, J. Appl. Phys, 53, 1698 (1982) [2] Wang and Birtcher, APL 55, 2494 (1989)Nanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 12. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del 800CampioneImpiantazione Ionica 700 Porous layer thickness [nm]SEM 600RBS 500Analisi delleimmagini SEMCross 400 this work, Ge 300 keV Lo swelling è una 300 Strizker, Ge 1MeVAnalisi degli spettri Appleton, Bi 280 keV funzione del dpa. 200 Holland, In 120 keVRBS Kaiser, Ge 150 keVProfilo di Ga in Si 100 Kaiser, Sb 190 keV Kaiser, As 150 keVProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400Conclusioni dpa B. Stritzker et al. NIMB 175, 193 (2001) B.R. aPPLETON et al., APL 41, 711 (1982) O.W. Holland et al., JAP 54, 2295 (1983) R.J. KAISER et al., Thin Solid Films 518, 2323 (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 13. Germanio Poroso Cos’è e perché studiarlo gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Conoscere e controllare il Ge Poroso apre nuoveCampioneImpiantazione Ionica prospettive nello sviluppo di sensori.SEMRBS Alto rapporto superficie/volumeAnalisi delleimmagini SEM Interesse verso lo swelling di film di GeCrossAnalisi degli spettri Studio delle variazioni di grandezze fisiche cui èRBSProfilo di Ga in Si sensibileProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 3/19
  • 14. Germanio Poroso Formazione gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel caso di GaSb:CampioneImpiantazione Ionica Diffusione di vacanze ed interstiziali [3]SEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 4/19
  • 15. Germanio Poroso Formazione gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel caso di GaSb:CampioneImpiantazione Ionica Diffusione di vacanze ed interstiziali [3]SEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Nel caso di Ge si ipotizza lo A B CConclusioni stesso principio di formazione e si osservano tre regimi al variare della temperatura [4]. [3] Nitta et al., JAP 92, 1799 (2002) [4] Stritzker et al., NIMB 175-177, (2001)Nanoporous Ge 19-07-12 4/19
  • 16. Produzione del Ge Poroso Impiantazione Ionica gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Ione: Ga+ Energia: 200keV (RP Campioni Dosi (ions/cm2 ) ∼ 100nm) Ge Bulk (100) 2.58E15 5E15 Film Ge 200nm/SiO2 2.58E15 5E15 Si Bulk (100) 5E15 Room Temperature Area Impianto: 1”Nanoporous Ge 19-07-12 5/19
  • 17. Produzione del Ge Poroso Impiantazione Ionica gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Ione: Ga+ Energia: 200keV (RP Campioni Dosi (ions/cm2 ) ∼ 100nm) Ge Bulk (100) 2.58E15 5E15 Film Ge 200nm/SiO2 2.58E15 5E15 Si Bulk (100) 5E15 Room Temperature Area Impianto: 1”Nanoporous Ge 19-07-12 5/19
  • 18. Produzione del Ge Poroso Impiantazione Ionica gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Ione: Ga+ Energia: 200keV (RP Campioni Dosi (ions/cm2 ) ∼ 100nm) Ge Bulk (100) 2.58E15 5E15 Film Ge 200nm/SiO2 2.58E15 5E15 Si Bulk (100) 5E15 Room Temperature Area Impianto: 1”Nanoporous Ge 19-07-12 5/19
  • 19. Scanning Electron Microscopy Analisi delle Immagini gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampione Analisi di SuperficieImpiantazione IonicaSEM Energia: 5keVRBSAnalisi delle Rivelatori: In Lensimmagini SEMCross Area dei poriAnalisi degli spettriRBS RaggiProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Analisi in CrossConclusioni Energia: 2keV Rivelatori: In Lens Profili di Profondità Caratterizzazione dei pori per il film di GeNanoporous Ge 19-07-12 6/19
  • 20. Scanning Electron Microscopy Analisi delle Immagini gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampione Analisi di SuperficieImpiantazione IonicaSEM Energia: 5keVRBSAnalisi delle Rivelatori: In Lensimmagini SEMCross Area dei poriAnalisi degli spettriRBS RaggiProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Analisi in CrossConclusioni Energia: 2keV Rivelatori: In Lens Profili di Profondità Caratterizzazione dei pori per il film di GeNanoporous Ge 19-07-12 6/19
  • 21. Scanning Electron Microscopy Analisi delle Immagini gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampione Analisi di SuperficieImpiantazione IonicaSEM Energia: 5keVRBSAnalisi delle Rivelatori: In Lensimmagini SEMCross Area dei poriAnalisi degli spettriRBS RaggiProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Analisi in CrossConclusioni Energia: 2keV Rivelatori: In Lens Profili di Profondità Caratterizzazione dei pori per il film di GeNanoporous Ge 19-07-12 6/19
  • 22. Rutherford Backscattering Spectrometry gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Caratteristiche del fascio Caratteristiche del rivelatoreConclusioni + Ione: 4He Angolo Solido Ω: 0.92mstr Energia: 2MeV Angolo di Rivelazione ϕ: 15◦Nanoporous Ge 19-07-12 7/19
  • 23. Rutherford Backscattering Spectrometry gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Caratteristiche del fascio Caratteristiche del rivelatoreConclusioni + Ione: 4He Angolo Solido Ω: 0.92mstr Energia: 2MeV Angolo di Rivelazione ϕ: 15◦Nanoporous Ge 19-07-12 7/19
  • 24. Rutherford Backscattering Spectrometry gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Caratteristiche del fascio Caratteristiche del rivelatoreConclusioni + Ione: 4He Angolo Solido Ω: 0.92mstr Energia: 2MeV Angolo di Rivelazione ϕ: 15◦Nanoporous Ge 19-07-12 7/19
  • 25. Ge Bulk - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 8/19
  • 26. Ge Bulk - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 8/19
  • 27. Ge Bulk - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area 224 ± 155nm2 Diametro Circolare 17 ± 4nmNanoporous Ge 19-07-12 8/19
  • 28. Ge Bulk - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area 224 ± 155nm2 Diametro Circolare 17 ± 4nmNanoporous Ge 19-07-12 8/19
  • 29. Ge Bulk - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 11 ± 3nm Raggio Minimo 6 ± 5nmNanoporous Ge 19-07-12 8/19
  • 30. Ge Bulk - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 11 ± 3nm Raggio Minimo 6 ± 5nmNanoporous Ge 19-07-12 8/19
  • 31. Ge Bulk - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 9/19
  • 32. Ge Bulk - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 9/19
  • 33. Ge Bulk - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area 240 ± 160nm2 Diametro Circolare 19 ± 6nmNanoporous Ge 19-07-12 9/19
  • 34. Ge Bulk - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area 240 ± 160nm2 Diametro Circolare 19 ± 6nmNanoporous Ge 19-07-12 9/19
  • 35. Ge Bulk - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 11 ± 3nm Raggio Minimo 6 ± 5nmNanoporous Ge 19-07-12 9/19
  • 36. Ge Bulk - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 11 ± 3nm Raggio Minimo 6 ± 5nmNanoporous Ge 19-07-12 9/19
  • 37. Ge MBE - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 10/19
  • 38. Ge MBE - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 10/19
  • 39. Ge MBE - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area n.d. Diametro Circolare 14.0 ± 3.5nmNanoporous Ge 19-07-12 10/19
  • 40. Ge MBE - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area n.d. Diametro Circolare 14.0 ± 3.5nmNanoporous Ge 19-07-12 10/19
  • 41. Ge MBE - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 10 ± 4nm Raggio Minimo 3.8 ± 0.9nmNanoporous Ge 19-07-12 10/19
  • 42. Ge MBE - 2.58 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 10 ± 4nm Raggio Minimo 3.8 ± 0.9nmNanoporous Ge 19-07-12 10/19
  • 43. Ge MBE - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 11/19
  • 44. Ge MBE - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 11/19
  • 45. Ge MBE - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area 300+290 nm2 −175 Diametro Circolare 23 ± 10nmNanoporous Ge 19-07-12 11/19
  • 46. Ge MBE - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Area 300+290 nm2 −175 Diametro Circolare 23 ± 10nmNanoporous Ge 19-07-12 11/19
  • 47. Ge MBE - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 14 ± 3nm Raggio Minimo 7 ± 3nmNanoporous Ge 19-07-12 11/19
  • 48. Ge MBE - 5 E15 ions cm−2 gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Risultati Sperimentali Raggio Massimo 14 ± 3nm Raggio Minimo 7 ± 3nmNanoporous Ge 19-07-12 11/19
  • 49. Risultati Sperimentali Confronto tra i diversi campioniIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBS Ge Bulk Ge Bulk Ge MBE Ge MBEAnalisi delle 5 E15 2.58 E15 5 E15 2.58 E15immagini SEMCross Area (nm2 ) 240 ± 160 224 ± 155 300+290 −175 n. d.Analisi degli spettriRBS Area % 23 ± 5% 16 ± 2% 0.06+0.05 −0.02 n. d.Profilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione Diametro Circ (nm) 19 ± 6 17 ± 4 23 ± 10 14.0 ± 3.5Conclusioni Rmax (nm) 11 ± 3 11 ± 3 14 ± 3 10 ± 4 Rmin (nm) 6±2 6±5 7±3 3.8 ± 0.9Nanoporous Ge 19-07-12 12/19
  • 50. Risoluzione Profili di Linea gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni ∼6nm ∼6nmNanoporous Ge 19-07-12 13/19
  • 51. Analisi delle Cross Section Profondità di swelling e caratterizzazione dei porigIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Ga/FilmGe 5e15Analisi delCampioneImpiantazione IonicaSEMRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettri 185 nmRBSProfilo di Ga in Si 270 nmProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Regione che ha subito swelling ∼ 185nm. I pori sono più larghi in profondità del ∼ 10 ÷ 60%. I pori si estendono ∼ 125nm in profondità.Nanoporous Ge 19-07-12 14/19
  • 52. Analisi delle Cross Section Profondità di swelling e caratterizzazione dei porigIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Ga/FilmGe 5e15Analisi delCampione 48 nm 43 nm 43 nm 52 nm 49 nm 24 nm 27 nm 34 nm 43 nm 49 nmImpiantazione IonicaSEMRBS 75 nm 54 nm 69 nm 43 nm 52 nm 39 nm 43 nm 30 nm 48 nm 64 nmAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Regione che ha subito swelling ∼ 185nm. I pori sono più larghi in profondità del ∼ 10 ÷ 60%. I pori si estendono ∼ 125nm in profondità.Nanoporous Ge 19-07-12 14/19
  • 53. Analisi delle Cross Section Profondità di swelling e caratterizzazione dei porigIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Ga/FilmGe 5e15Analisi delCampioneImpiantazione Ionica 37 nmSEMRBS 91 nmAnalisi delle 134 nm 114 nm 123 nm 114 nm 125 nm 134 nm 134 nm 139 nmimmagini SEM 112 nmCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioni Regione che ha subito swelling ∼ 185nm. I pori sono più larghi in profondità del ∼ 10 ÷ 60%. I pori si estendono ∼ 125nm in profondità.Nanoporous Ge 19-07-12 14/19
  • 54. Analisi RBS - Silicio Impianto di Ga nel Si come riferimentogIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del 2 0CampioneImpiantazione Ionica S i-a 1 5SEM N o r m a liz e d Y ie ldRBS 1 0Analisi delleimmagini SEM 5Cross G aAnalisi degli spettri 0RBS 1 ,0 0 1 ,0 5 1 ,1 0 1 ,1 5 1 ,4 5 1 ,5 0 1 ,5 5 1 ,6 0 1 ,6 5Profilo di Ga in Si E n e rg y (M e V )Profili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 15/19
  • 55. Analisi RBS - Silicio Impianto di Ga nel Si come riferimentogIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e 2 0Analisi delCampione Spessore di Si amorfo S i-a 1 5Impiantazione Ionica ∼ 230 ± 30nm N o r m a liz e d Y ie ldSEMRBS 1 0Analisi delle Dose Effettiva di Impiantoimmagini SEM 5.15E15 ions/cm2 5Cross G a 2.66E15 ions/cm2 0Analisi degli spettri 1 ,0 0 1 ,0 5 1 ,1 0 1 ,1 5 1 ,4 5 1 ,5 0 1 ,5 5 1 ,6 0 1 ,6 5RBS E n e rg y (M e V )Profilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazione D e p th [n m ] 3 0 0 2 5 0 2 0 0 1 5 0 1 0 0 5 0 0 2 5Conclusioni 2 2 8 ± 3 0 n m 3 5 0 1 ,4 x 1 0 2 1 2 0 3 0 0 2 1 1 ,2 x 1 0 ] 3 2 5 0 2 1 C o n c e n tr a tio n [a tm /c m 1 ,0 x 1 0 N o r m a liz e d Y ie ld 1 5 2 0 0 8 ,0 x 1 0 2 0 C o u n ts 1 0 1 5 0 2 0 5 ,1 5 ± 0 ,0 2 E 1 5 6 ,0 x 1 0 a tm /c m 2 1 0 0 4 ,0 x 1 0 2 0 5 5 0 2 ,0 x 1 0 2 0 0 0 0 ,0 0 ,9 0 0 ,9 5 1 ,0 0 1 ,0 5 1 ,1 0 1 ,1 5 1 ,2 0 1 ,2 5 1 ,4 8 1 ,5 0 1 ,5 2 1 ,5 4 1 ,5 6 1 ,5 8 1 ,6 0 E n e rg y [M e V ] E n e rg y [M e V ]Nanoporous Ge 19-07-12 15/19
  • 56. Analisi RBS - Silicio Impianto di Ga nel Si come riferimentogIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del 5 x 1 0 2 0 G a /S i C o n c e n tr a tio nCampione S R IM - 2 0 0 8 S im u la tio nImpiantazione Ionica ] 2 0 4 x 1 0 3SEM C o n c e n tr a tio n [a tm /c mRBS 2 0 3 x 1 0Analisi delleimmagini SEM 2 0Cross 2 x 1 0Analisi degli spettri 2 0RBS 1 x 1 0Profilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 0caratterizzazione 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0Conclusioni D e p th [n m ] Range Proiettato ∼ 140nmNanoporous Ge 19-07-12 15/19
  • 57. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Germanio BulkgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e Profili di impianto di Ga nel Germanio Bulk attraversoAnalisi delCampione simulazioni SRIM-2008Impiantazione Ionica 2 0SEM 5 x 1 0 2 0RBS 2 ,5 x 1 0 2 0 4 x 1 0Analisi delle 2 ,0 x 1 0 2 0 ] ] 3 3 C o n c e n tr a tio n [a tm /c m C o n c e n tr a tio n [a tm /c mimmagini SEM 3 x 1 0 2 0 2 0 1 ,5 x 1 0Cross 2 0 2 x 1 0Analisi degli spettri 1 ,0 x 1 0 2 0RBS 2 0 5 ,0 x 1 0 1 9 1 x 1 0Profilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 0 ,0 0caratterizzazione 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 D e p th [n m ] D e p th [n m ]Conclusioni 2.66E15 5.15E15 Range Proiettato Range Proiettato ∼ 95nm ∼ 95nm Dose Massima Dose Massima ∼ 2, 3E20 atm/cm3 ∼ 4, 5E20 atm/cm3Nanoporous Ge 19-07-12 16/19
  • 58. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Germanio BulkgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampione 7 0 G e + G a 2 ,5 8 E 1 5Impiantazione Ionica G e + G a 5 E 1 5SEM 6 0RBS 5 0Analisi delle N o r m a liz e d Y ie ld 1 5 0 n mimmagini SEM 4 0Cross 1 4 5 n m 3 0Analisi degli spettriRBS 2 0Profilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 1 0caratterizzazione 0Conclusioni -1 0 1 ,3 1 ,4 1 ,5 1 ,6 1 ,7 E n e rg y (M e V ) Spessore di Ge amorfizzato dal Ga alle due diverse concentrazioniNanoporous Ge 19-07-12 16/19
  • 59. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Profili di impianto di Ga nel Germanio MBE attraversoCampione simulazioni SRIM-2008Impiantazione IonicaSEM 2 0 5 x 1 0RBS 2 0 2 ,5 x 1 0Analisi delle 2 0 4 x 1 0 2 0 2 ,0 x 1 0immagini SEM ] ] 3 3 C o n c e n tr a tio n [a tm /c m C o n c e n tr a tio n [a tm /c m 2 0Cross 3 x 1 0 2 0 1 ,5 x 1 0Analisi degli spettri 2 0 2 x 1 0 2 0 1 ,0 x 1 0RBS F ilm G e F ilm G eProfilo di Ga in Si 5 ,0 x 1 0 1 9 1 x 1 0 2 0Profili di Ga in Ge e S iO S iO 2 2caratterizzazione 0 ,0 0 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0Conclusioni D e p th [n m ] D e p th [n m ] 2.66E15 5.15E15 Range Proiettato Range Proiettato ∼ 95nm ∼ 95nm Dose Massima Dose Massima ∼ 2, 3E20 atm/cm3 ∼ 4, 5E20 atm/cm3Nanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 60. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e 9 0Analisi delCampione 8 0Impiantazione IonicaSEM 7 0RBS 6 0 N o r m a liz e d Y ie ldAnalisi delleimmagini SEM 5 0Cross 4 0Analisi degli spettri 1 9 7 ± 2 8 n m 3 0RBSProfilo di Ga in Si 2 0Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione 1 0Conclusioni 0 1 ,4 0 1 ,4 5 1 ,5 0 1 ,5 5 1 ,6 0 1 ,6 5 1 ,7 0 E n e rg y [M e v ] Spessore di film MBE depositato su SiO2 per MBE a 200◦ CNanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 61. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione e 9 0Analisi delCampione 8 0 F ilm G e a s d e pImpiantazione Ionica F ilm G e + G a 5 e 1 5SEM 7 0RBS 6 0 N o r m a liz e d Y ie ldAnalisi delleimmagini SEM 5 0Cross 4 0 1 8 8 ± 2 8 n mAnalisi degli spettri 3 0 1 9 7 ± 2 8 n mRBSProfilo di Ga in Si 2 0Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione 1 0Conclusioni 0 1 ,4 0 1 ,4 5 1 ,5 0 1 ,5 5 1 ,6 0 1 ,6 5 1 ,7 0 E n e rg y [M e V ] Confronto degli spettri RBS del GeMBE prima e dopo l’impianto di 5.15E15 di GaNanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 62. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio Poroso 9 0Preparazione e 8 0 F ilm G e a s d e pAnalisi del F ilm G e + G a 5 e 1 5Campione 7 0Impiantazione Ionica 6 0SEM N o r m a liz e d Y ie ldRBS 5 0Analisi delle 4 0 1 8 8 ± 2 8 n mimmagini SEM 1 9 7 ± 2 8 n m 3 0Cross 2 0Analisi degli spettriRBS 1 0Profilo di Ga in Si 0Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione 1 ,4 0 1 ,4 5 1 ,5 0 1 ,5 5 1 ,6 0 1 ,6 5 1 ,7 0 E n e rg y [M e V ]Conclusioni 185 nm 270 nmNanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 63. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del 3 x 1 0 2 4Campione ] 3 V a c a n c ie s [# /c mImpiantazione Ionica 2 x 1 0 2 4SEMRBS 1 x 1 0 2 4 Simulazioni SRIM-2008 per ilAnalisi delleimmagini SEM 0 calcolo di vacanze prodotte nel Ge 0 1 0 0 2 0 0 3 0 0Cross D e p th [n m ]Analisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 64. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del 3 x 1 0 2 4Campione ] 3 V a c a n c ie s [# /c mImpiantazione Ionica 2 x 1 0 2 4SEMRBS 1 x 1 0 2 4 Simulazioni SRIM-2008 per ilAnalisi delleimmagini SEM 0 calcolo di vacanze prodotte nel Ge 0 1 0 0 2 0 0 3 0 0Cross D e p th [n m ]Analisi degli spettri 8 0 0RBSProfilo di Ga in Si 7 0 0Profili di Ga in Ge e P o r o u s la y e r th ic k n e s s [n m ]caratterizzazione 6 0 0Conclusioni 5 0 0 4 0 0 G a /F ilm G e , 2 0 0 k e V R o m a n o , G e 3 0 0 k e V 3 0 0 S tr iz k e r , G e 1 M e V A p p le to n , B i 2 8 0 k e V 2 0 0 H o lla n d , In 1 2 0 k e V K a is e r , G e 1 5 0 k e V K a is e r , S b 1 9 0 k e V 1 0 0 K a is e r , A s 1 5 0 k e V 0 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 3 5 0 4 0 0 d p aNanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 65. Analisi RBS - Germanio Impianto di Ga nel Film di Germanio MBEgIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del 7 0 7 0Campione F ilm G e a s d e pImpiantazione Ionica 6 0 F ilm G e + G a 5 e 1 5 6 0SEM 5 0 5 0RBS N o r m a liz e d Y ie ldAnalisi delle 4 0 4 0immagini SEM 3 0 3 0Cross 2 0 2 0Analisi degli spettriRBS 1 0 1 0Profilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge e 0 0caratterizzazione 1 ,0 0 1 ,0 5 1 ,4 0 1 ,4 5 1 ,5 0 1 ,5 5Conclusioni E n e rg y [M e V ] Fenomeno di Intermixing all’interfaccia Ge/SiO2Nanoporous Ge 19-07-12 17/19
  • 66. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 67. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 68. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 69. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 70. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 71. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 72. Conclusioni Risultati SperimentaligIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi del Nel presente lavoro è stata studiata la morfologia del GeCampioneImpiantazione Ionica Poroso, sia attraverso analisi SEM che RBSSEMRBS Le dimensioni dei pori aumentano con la fluenza.Analisi delle Questo andamento rispecchia quanto presente inimmagini SEMCross letteratura[5].Analisi degli spettriRBS Grosse differenze sono state evidenziate tra il GeProfilo di Ga in Si Bulk ed il Film:Profili di Ga in Ge ecaratterizzazione Morfologia profondamente diversaConclusioni Pori mediamente più grandi nel film Minor numero di pori in superficie Nonostante le differenze, l’andamento dello spessore di swelling in funzione del dpa per il film è in accordo con quanto si riscontra nel caso del bulk. [5] Romano et al., JAP 107, (2010)Nanoporous Ge 19-07-12 18/19
  • 73. Conclusioni gIntroduzioneGermanio PorosoPreparazione eAnalisi delCampioneImpiantazione IonicaSEM Grazie per l’attenzioneRBSAnalisi delleimmagini SEMCrossAnalisi degli spettriRBSProfilo di Ga in SiProfili di Ga in Ge ecaratterizzazioneConclusioniNanoporous Ge 19-07-12 19/19

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